ITO薄膜的導(dǎo)電機制和特性

　　In2O3是直接躍遷寬禁帶半導(dǎo)體資料，其晶體結(jié)構(gòu)是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)。由于在In2O3構(gòu)成過程中沒有構(gòu)成完好的理想化學(xué)配比結(jié)構(gòu)，結(jié)晶結(jié)構(gòu)中短少氧原子(氧空位) ，因此存在過剩的自在電子，表現(xiàn)出一定的電子導(dǎo)電性。同時，如果使用高價的陽離子如Sn摻雜在In2O3 晶格中代替In^3+的位置，則會添加自在導(dǎo)電電子的濃度，從而進步氧化銦的導(dǎo)電性。
 

　　在ITO薄膜中，Sn一般以Sn^2+或Sn^4+的方式存在，由于In在In2O3中是正三價，Sn^4+的存在將提供一個電子到導(dǎo)帶，相反Sn^2+的存在將下降導(dǎo)帶中電子的密度。別的，SnO自身呈暗褐色，對可見光的透過率較差。在低溫沉積過程中，Sn在ITO中主要以SnO的方式存在，導(dǎo)致較低的載流子濃度和高的膜電阻。通過退火處理，一方面能促進SnO向SnO2轉(zhuǎn)變，使薄膜進一步氧化，另一方面促進薄膜中多余的氧脫附，從而到達下降膜電阻，進步膜的可見光透過率的意圖。